2025 年第一季度，全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来了一个历史性的转折点：SK 海力士以 36% 的市场份额，首次超越三星电子的 34%，登顶全球 DRAM 营收榜首，终结了三星自 1992 年以来长达 33 年的市场霸主地位。

 

图源：Counterpoint

三星作为曾经的行业霸主，为何跌落神坛？SK 海力士又凭什么能够超越这个行业巨擘？让我们深入分析这场半导体领域的王位更迭。

SK 海力士的制胜之道：

十年磨一剑，押注 HBM

 

DRAM 是半导体产业中至关重要的一部分，广泛应用于智能手机、个人电脑以及服务器等各种电子设备中，用于临时数据存储。近年来，随着 AI 和高性能计算的飞速发展，一种被称为高带宽内存（HBM）的特殊类型 DRAM 变得越来越重要。

HBM 是一种通过垂直堆叠 DRAM 芯片实现超高数据处理速度的先进内存技术，因其在 AI 训练、高性能计算和深度学习场景中的卓越性能而备受青睐。随着生成式 AI 技术的迅速普及，HBM 需求也呈现出爆发式增长，成为 DRAM 市场新的增长引擎。

图源：Counterpoint

而驱动 SK 海力士引发这一行业巨变的核心，就是 SK 海力士在高带宽内存（HBM）领域的绝对领先。根据研究机构 Counterpoint Research 的统计，虽然在 DRAM 市场上 SK 海力士仅以 36% 比 34% 的市场份额略高于三星，但如果细分到 HBM 市场，SK 海力士的市场份额则是高达 70%，牢牢占据着主导地位，成为 AI 浪潮中最大的受益者之一。

图源：SK 海力士

SK 海力士的成功并非偶然。早在 2013 年，他们就前瞻性地开始布局 HBM 技术，比当前的 AI 大爆发早了近 10 年时间。当时市场对 HBM 技术需求极低，前景不明朗，但这种战略眼光让 SK 海力士在技术研发上抢占先机，领先竞争对手三星和美光数年之久。

图源：英伟达

正是得益于技术领先和产能优势，SK 海力士已成为英伟达、AMD 等 AI 芯片巨头的首选供应商。如今，SK 海力士的第五代 HBM3E 芯片已实现大规模量产并广泛应用于英伟达去年推出的 Blackwell 芯片中，而在今年 GDC 上正式亮相的英伟达最新一代 Blackwell Ultra 芯片同样也会采用 SK 海力士的高带宽内存。

图源：英伟达

SK 海力士的技术创新并未止步，除了第五代 HBM3E，SK 海力士目前也已经进入了下一代高带宽内存 HBM4（第六代）的关键开发阶段，HBM4 设计用于每秒处理超过 2TB 的数据，比上一代 HBM3E 的处理速度快超过 60%。英伟达也宣布其计划于明年推出的全新架构 Vera Rubin AI 芯片将采用SK海力士的第六代 HBM4。

图源：韩联社

SK 海力士生产的高带宽内存市场需求之旺盛，从公司今年 3 月的年度股东大会透露的信息可见一斑。首席执行官 Kwak Noh-jung 在会上透露，公司 2025 年的 HBM 产能已全部售罄（而 2025 年才刚过去一个季度），且 2026 年 HBM 销售谈判也即将结束，接近饱和。这意味着明年才会生产的 HBM 芯片在尚未开始生产前就已被全部预订。

这一片大好局势持续推高 SK 海力士的业绩与股价，屡创历史新高。

技术落差：

三星 HBM 研发的困局与挑战

 

作为 DRAM 市场的长期霸主，三星电子在 AI 时代却未能延续昔日的辉煌。市场分析显示，三星在 HBM 芯片的质量认证和供货速度上明显落后于 SK 海力士，无法满足英伟达、AMD 等关键客户的需求。

图源：路透社

在去年 5 月，就有多家媒体曾爆料，三星的 HBM 芯片由于散热和功耗问题没有通过英伟达的测试认证，因此加入英伟达供应链的计划一再被推迟。虽然在同年 7 月，英伟达首次批准三星电子的 HBM 用于其 GPU 上，不过需要注意的是，获得批准的首批产品是第四代产品 HBM3，并非第五代 HBM3E，而且这些芯片将仅用于为中国市场开发的 H20，其算力相比非中国市场版本 H100 已大幅降低，用于英伟达高端产品的三星第五代 HBM3E 的相关测试仍在进行中，直到现在都没有消息指出三星的 HBM3E 是否已经通过了测试。

相比之下，SK 海力士早在 2021 年就已研发出全球首款第四代 HBM3，而三星的同代产品直到 2024 年 7 月才通过英伟达认证。当三星还在攻克第四代 HBM3 难关时，英伟达 2024 年 3 月发布的 Blackwell 芯片已采用 SK 海力士的第五代 HBM3E，两家公司的技术差距显而易见。

凭借 AI 芯片需求的持续飙升，SK 海力士在逐步拉开与三星在 HBM 市场的差距，而在 DRAM 这个更大的市场上，两者的差距也在逐步缩小。根据 Counterpoint Research 的统计数据，2023 年第四季度三星在 DRAM 的市场份额为 45.5%，SK 海力士为 31.8%，两者相差 13.7 个百分点；到 2024 年第四季度，这一差距缩小至 2.7 个百分点；而到了 2025 年第一季度，SK 海力士以 36% 的份额反超三星的 34%，领先 2 个百分点。这一趋势清晰地表明，AI 驱动的高附加值 HBM 市场正在重塑 DRAM 行业的竞争格局，而三星在这一关键领域的失利直接导致了其霸主地位的动摇。

一念之差，错失风口

 

实际上三星在 2016 年就进入了高带宽内存（HBM）市场，虽然时间节点略晚于 SK 海力士的 2013 年，但依照三星过去在 DRAM 领域的技术积累和优势，完完全全可以追赶上如今的 SK 海力士，至少可以在市场上打得难分难解，不至于沦落到如今这种远远落后于竞争对手的地步。

造成这一局面的关键原因是三星的一次致命决策错误。

2019 年，三星基于其在传统 DRAM 产品市场的主导地位，错误判断了 HBM 的商用前景。公司内部评估认为 HBM 的复杂封装工艺将导致成本过高，进而推高产品售价，难以在消费级市场普及。基于这一判断，三星解散了 HBM 团队。

团队解散后，虽有部分成员在公司内部转岗，但相当多的专家，尤其是资深技术人才选择加入 SK 海力士的 HBM 研发团队。凭借吸纳三星流失人才带来的技术积累，SK 海力士的 3D 堆叠良品率在 2020 年直接提升了 17 个百分点，率先完成了 HBM2E 量产，赢得了英伟达 A100 芯片的独家供应权。搭上英伟达这艘"巨轮"让 SK 海力士的市场份额从 2019 年的 32% 上升至 2023 年的 58%，再到 2025 年的 70%，逐步建立并巩固了技术壁垒。

如今，随着 AI 技术的飞速发展，市场对 HBM 芯片的需求急剧增加，估计三星正在为当初解散 HBM 团队的错误决定而感到后悔不已。

三星能否重返王座？

 

SK 海力士与三星在 HBM 领域的竞争，很大程度上源于两者在技术布局和市场策略上的差异。

长期以来，三星将大量资源投入到传统 DRAM 和 NAND 闪存的生产中，而对 HBM 等新兴技术的重视程度不足。这种保守策略在 AI 浪潮到来之前曾是三星的竞争优势，但在市场重心迅速转向高性能内存后，反而限制了其转型速度。

相比之下，SK 海力士早在十年前便开始深耕 HBM 技术，这种长期投入使其在技术成熟度和市场准备上占据优势。与英伟达的深度合作进一步巩固了其市场地位，使其能够精准满足 AI 芯片厂商对高性能内存的需求，成功抓住了 AI 时代的风口。

图源：三星

面对 SK 海力士的强势崛起，三星电子正积极调整策略以扭转颓势。公司在 2024 年 3 月成立了专门的 HBM 团队，由 DRAM 产品与技术部门执行副总裁 Hwang Sang-joon 领导，专注提高第六代 HBM4 的开发产量。同年 5 月，三星更换了半导体业务负责人，任命 Jun Young-hyun 为设备解决方案（DS）部门新主管。

三星的反击策略还包括减少对传统 DRAM 的依赖，探索 CXL（Compute Express Link）或新型非易失性内存等高价值内存技术，以拓宽收入来源。同时，公司正优化内部组织结构，提升决策效率，以更灵活应对 AI 驱动的市场变化。据悉，三星计划在 2025 年下半年显著提升 12 层 HBM3E 产量，并按计划推出 HBM4 芯片。不过，这些措施能否帮助三星重夺市场领先地位，尚需时间验证。

结尾

 

 

作为 AI 芯片的“心脏”，HBM 的市场规模预计将在未来数年持续扩张。市场研究机构 TrendForce 预测，到 2027 年，HBM 在 DRAM 市场的占比可能从 2024 年的约 20% 提升至 40% 以上，充分显示了这一领域的巨大潜力。

三星雄厚的技术实力和资源储备为其提供了反转局面的可能性。然而，面对 SK 海力士在 HBM 市场建立的先发优势和客户粘性，三星必须在短期内展现显著进步，否则其市场地位恐将进一步下滑。

与此同时，中国 DRAM 厂商长鑫存储（CXMT）的崛起也在对传统 DRAM 市场构成挑战。长鑫存储通过低成本策略快速抢占市场份额，加剧了价格竞争，三星面临着传统 DRAM 和 HBM 领域的双重压力。

对于整个半导体行业来说，AI 浪潮下的内存市场正在开启一个全新的时代，谁能抓住机遇，谁就将引领未来。