三星正在开发LLW DRAM,适用于终端侧AI及下一代XR头显

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编译/VR陀螺

此前曾有消息指出SK海力士正在面向Vision Pro独家提供DRAM存储芯片,该芯片与R1芯片相结合以实现实时高速的高清视频处理。

近日,有消息透露,三星电子目前也在开发低延迟宽IO(LLW)DRAM,并计划于明年年底量产。

终端侧AI示意图,图源:网络

目前移动电子设备常见的内存芯片为LPDDR,与之相比,LLW DRAM通过扩展输入/输出(I/O)路径来增加带宽,由于带宽与传输速度成正比,因此这种类型的DRAM能进一步提高处理设备实时生成数据的时效。

据了解,LLW DRAM不仅可用于新一代XR终端设备,此外,它还能用于搭载终端侧AI的产品当中。与云端AI不同,终端侧AI需要直接在设备端执行数亿次指令,为了快速处理大量数据而不消耗过多电量,用于增强辅助计算的DRAM显得至关重要。

其他方面,三星电子自2020年以来一直在开发轻量级On-Device AI算法,并将其应用于片上系统 (SoC)、内存和传感器,它可增强其在On-Device AI半导体领域的竞争力。算法将率先用于三星内部开发的生成式AI模型“高斯”并预计将于明年全面占领市场。

来源:businesskorea

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