前言：

7月10日，SK海力士在纳斯达克敲钟，265亿美元的募资额刷新外国企业赴美上市纪录；六天后，长鑫科技在上海开启申购，295亿元的计划募资登顶年内A股。

两场IPO相隔不到一周，瞄准的是同一个战场。资本市场少有地同步下注，把中韩存储的技术路线对撞，正式摆上了台面。

作者 | 方文三

图片来源 | 网络

六天之内，资本给两条路线同时定了价

SK海力士这场上市，成色值得细看。每份ADR定价149美元，发行1.779亿份，认购超过七倍，近两千亿美元的订单追在后面跑，首日收涨约13%，市值越过1.2万亿美元。

上一次外国企业在美国融到这么多钱，还是2014年的阿里巴巴，募资用在了韩国龙仁半导体集群一期工厂、清州P&T7先进封装厂，外加一批EUV光刻机的采购。

长鑫的排面同样不小，发行价8.66元，公开发行66.88亿股，计划募资295亿元，科创板开板以来仅次于中芯国际的体量。

按发行价折算，募资净额预计约576亿元，超募接近一倍。钱分作三笔：130亿投DRAM技术升级，90亿投前瞻技术研发，75亿投晶圆产线改造。

8000Mbps相遇，参数表只说出了半场真相

长鑫这次逼近主战场，靠的不是一款孤零零的颗粒。

2025年11月，长鑫存储集中展示新一代DDR5与LPDDR5X产品：DDR5最高速率8000Mbps，并覆盖RDIMM、MRDIMM、CUDIMM等服务器、工作站和个人电脑模组；LPDDR5X最高速率10667Mbps，面向旗舰移动设备。

到2026年5月披露的招股书注册稿中，其DDR5产品已覆盖16Gb、24Gb和32Gb颗粒，模组容量延伸至128GB。

长鑫的产品形态已经越过「能做出芯片」的阶段，开始补齐从颗粒到系统模组的完整货架。

SK海力士的8000Mbps来得更早，其16Gb 1c DDR5于2024年8月宣布开发完成，计划在2025年批量供货。

企业披露的对比数据显示，这款产品较1b DDR5速度提升11%，能效提高逾9%，生产率提高逾30%。

2026年3月，SK海力士又完成1c LPDDR6开发，基础速率超过10.7Gbps，并计划在当年下半年供货。

SK海力士1c DDR5资料与LPDDR6资料显示，它的产品前沿已经向下一代移动内存延伸。

数字相同，不等于技术位置相同。

消费者看到的是速度，晶圆厂计算的是每一颗合格比特的成本，二者隔着几百道工序，也隔着利润表。

不过，这个交点依然具有分量。长鑫自2024年底起停止生产自有DDR4产品，把资源转向DDR5和LPDDR5/5X。

它已经离开「用成熟产品填补空白」的舒适区，进入全球大厂正在争夺的主流高价值市场，中韩交锋由此有了真实落点。

制程路线之外，两家公司赚两种不同的钱

SK海力士的成绩单令人侧目：2025财年营收97.15万亿韩元，同比增长47%；营业利润47.21万亿韩元，同比翻倍，第一次反超三星电子，坐上全球存储盈利头把交椅。2026年一季度，营业利润率72%，高过英伟达，也高过台积电，创行业纪录。

利润从哪来？HBM。IDC统计，2026年一季度海力士HBM份额56.4%，稳居第一；2026年产能早已售罄，2027年也被英伟达、谷歌、微软长约锁死；瑞银估计，英伟达Rubin的HBM4约七成仍出自海力士。

长鑫放进自家历史，成绩单足够惊艳：2026年一季度营收508亿元，同比增长719%；净利润330亿，上年同期还亏损；上半年预告归母净利润500亿至570亿，日均盈利近3亿。

利润里周期馈赠居多，DRAM合约价一季度环比上涨93%到98%，二季度再涨58%到63%。大水漫灌，谁的船都在升高。

真正的差距在结构里，Omdia数据里，2025年四季度长鑫全球DRAM份额7.67%，排名第四；Counterpoint按营收算，2026年一季度长鑫8%、海力士29%。

两套口径彼此接近：第四坐稳，距前三仍远。制程代差更难追，海力士第六代10纳米级（1c）DDR5今年初全面量产，长鑫主力还是16纳米（G4），TechInsights拆解位密度约0.239Gb/mm²，仅及国际1y到1z水准。

HBM差距更直白，海力士已量产HBM4，长鑫16纳米HBM3样品2025年10月才送到华为等客户手中，量产要看2026年，HBM3E排在2027年。

SK海力士12层HBM4有2048个I/O端口，速率超10Gbps，带宽翻倍，能效提升逾40%；1b DRAM配Advanced MR-MUF封装压住翘曲和散热。

护城河既在晶圆厂，也在先进封装、客户协同和按时量产的信用。

长鑫的台阶更朴素，更合追赶者节奏，先把DDR5、LPDDR5X做成规模产品，借本土服务器、手机、电脑验证，再用现金流反哺工艺升级。

它的295亿募资沿同一主线：75亿升级晶圆量产线，130亿投DRAM技术升级，90亿做前瞻研究。追赶者的账，算得很清醒。

产能倾斜的意外后果，给追赶者留出了窗口期

SK海力士在主动做产能腾挪，AI服务器对HBM的需求快把产能挤爆了，它把六成以上先进制程产能都转去做高带宽内存，传统DDR5、LPDDR5的晶圆投片砍得很猛。

单片HBM4吃掉的晶圆是普通DDR5的6到8倍，再算上良率爬坡的损耗，同等产能下能流出来的通用内存颗粒直接砍半都不止。

龙仁新厂的产能要到2027年才会慢慢放出来，未来两年，通用DRAM的供给缺口只会越拉越大。

巨头们腾出来的产能空白，正好砸在了长鑫的射程里。海外三巨头一起收通用产能的档口，国内信创市场对国产存储的需求在刚性释放。

服务器、PC、手机领域的头部厂都在拉长长鑫的颗粒进供应链，供给端往外撤，需求端往里挤，两头叠加下来，长鑫的产能利用率常年钉在95%以上，全球市场份额从2025年初的4.2%一路爬到年末的7.67%，全球第四的位置坐得很稳。

技术追赶是底子，真正帮它完成量级跳级的，是行业结构调整挤出来的时间窗口。

键合DRAM前夜，长鑫摸到了技术超车的门把手

平面DRAM的制程微缩正在逼近物理极限，走到1δ纳米节点之后，传统光刻微缩的路子会撞上漏电和成本的双重死墙。

下一代存储密度的提升，必须从平面微缩转向3D架构与分层键合。恰恰在这个技术拐点上，长鑫提前铺的CBA键合架构，意外攒出了半格先发优势。

键合DRAM的核心逻辑，是把制造环节拆成两层做垂直集成，把存储单元阵列和外围控制电路拆开，分到两片独立晶圆上生产。

下层专心堆高密度存储，不用迁就逻辑工艺的要求；上层专攻高速逻辑，不用将就存储制程的限制。

最后用混合键合技术把两片晶圆做原子级贴合，通路直接打通。

这套架构最狠的地方，是把存储密度和光刻精度解绑了。就算只用DUV设备，也能堆出非常可观的整体密度。

这条当初为绕开EUV封锁逼出来的路线，刚好踩中了行业下一代技术演进的主方向。三星、SK海力士在平面制程上领跑多年，转键合架构反倒背着路径依赖的包袱。

现有的EUV产线和工艺积累没法直接复用，相当于要重新搭一套制造体系。韩国行业媒体早有披露，长鑫在键合DRAM上的研发进度，未必落后于韩国同行。

结尾：

这场中韩交锋的看点，早已超出参数表上几百Mbps的差距。SK海力士已把内存做成AI算力平台的一部分，长鑫正把国产DRAM从「可用」推向大规模、主流化。

两条路线真正汇合的标志，将是长鑫能够稳定交付经客户验证的先进工艺与高带宽产品。在那之前，8000Mbps是一张分量十足的入场券，远非终局。

部分资料参考：虎嗅：《SK海力士今晚以ADR登陆纳斯达克，募资265亿美元创纪录》，深铭易购：《长鑫存储16nm DRAM量产，15nm制程研发中》，华尔街见闻：《存储芯片被错杀？DRAM涨价预期再次暴力上调》，澎湃新闻：《存储双雄业绩"炸裂"背后》