前言：

在这场AI算力革命的隐秘战场上，HBM与先进封装技术无疑是至关重要的力量。

它们的进步不仅将推动AI技术达到新的高度，还将对整个半导体产业的格局产生深远影响。

作者| 方文三

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HBM助SK海力士首超三星成全球DRAM冠军

据ZDNet Korea及其他韩国媒体引述Counterpoint Research的数据：

2025年第一季度，三星在全球DRAM市场的份额大约为34%，而SK海力士的份额约为36%，导致三星失去了其在DRAM市场的领导地位。美光科技则以大约25%的市场份额位列第三。

SK海力士首次在排名中超越了长期占据DRAM市场最大份额的竞争对手三星，后者数十年来一直稳居DRAM最大供应商的地位。

Counterpoint Research预计，SK海力士将在第二季度继续保持DRAM最大供应商的地位。

该成就的实现绝非偶然，其背后是AI算力需求激增所推动的产业变革。

尽管HBM产品仅占SK海力士动态随机存取存储器（DRAM）收入的15%，却成为其主要利润来源。

在AI服务器市场需求激增的背景下，HBM业务推动了SK海力士营收与利润的双重增长，从而实现了对三星的超越。

据TrendForce的数据显示，预计2023年至2026年期间，AI服务器的出货量年复合增长率将达到22%。

在AI服务器出货量增长的带动下，预计2024年HBM在AI领域的营收将占DRAM市场总额的20%。

预计2025年HBM的需求将达到20.8亿千兆字节，市场规模将突破311亿美元，成为推动DRAM市场增长的主要动力。

根据SK海力士于3月4日提交的文件显示，其美国销售子公司SK海力士美国公司去年的销售额达到33.49万亿韩元（约合230亿美元），净利润为1049亿韩元（约合7190万美元）。

较上一年的12.54万亿韩元（约合85.9亿美元）增长了2.6倍。

去年，SK海力士业绩创历史新高，总销售额达66.19万亿韩元，营业利润达23.47万亿韩元。

HBM产品表现尤为突出，占第四季度DRAM总销售额的40%以上。

SK海力士预计，在AI的推动下，到2027年，HBM内存芯片的需求将以每年82%的速度增长。

相比之下，三星电子更依赖于传统DRAM。据相关报道，该公司约80%至90%的芯片销售额依赖于传统芯片。

然而，由于中国厂商凭借更廉价的替代品迅速崛起，传统内存芯片的需求正在减弱，价格也在下降，这也是推动拥有HBM领先优势的SK海力士更进一步的原因之一。

SK海力士继续扩大HBM支出并调整架构

CINNO Research产业资讯显示，SK海力士计划将年度设备投资（CAPEX）预算在原有基础上增加30%。

据消息人士透露，该芯片制造商原本计划今年投资22万亿韩元用于扩建设施，但这一数字已提升至29万亿韩元。

SK海力士此前表示，其投资策略将专注于那些已经确保盈利的产品。

公司正将M10晶圆厂的部分产能（主要生产传统节点产品）转换为HBM工艺。

同时，SK海力士也涉足图像传感器业务，其员工已转向从事AI内存业务。

与此同时，SK海力士正积极推进位于忠清北道清州市的M15X新HBM工厂建设，并已着手扩充其员工团队。预计EUV设备亦将不久后在该工厂安装。

据传，该科技巨头正与英伟达合作，对其HBM3E进行最终的质量测试，一旦通过认证，便有望开始提升出货量。

这一决策的背后，是全球科技巨头对HBM需求的激增，英伟达、博通等企业抛出的大规模订单，成为推动此次投资计划调整的关键因素。

清州M15X工厂是SK海力士新建的DRAM生产基地，承载着公司在高端存储领域的战略布局。

这一投资计划的调整，核心目标在于满足全球科技巨头对HBM的紧急需求。

据悉，自今年起，SK海力士已开始向博通大规模供应HBM，而英伟达也对其提出提前交付相关产品的要求。

作为HBM市场的最大受益者，SK海力士正在积极准备迎接下一代HBM的到来，不仅包括HBM4的量产，还包括组织架构的重大调整。

鉴于产品技术复杂性的提升，SK海力士认为单一的整合体系已不足以应对挑战，因此决定将HBM开发组织划分为定制化（C-HBM）和标准化（S-HBM）两个独立的体系。

这一战略旨在通过差异化布局，既满足英伟达等核心客户对高性能的需求，又抢占快速增长的通用HBM市场，巩固其在AI存储器领域的领导地位。

随着AI市场从训练阶段向多种应用的推理阶段过渡，市场对定制化HBM的需求日益增长，分析人士预测，两年后将迎来定制HBM时代。

预计到2029年，定制HBM市场规模将扩展至380亿美元。

在定制化路线方面，通过与客户的紧密合作提升技术壁垒，确保高利润率。

三星电子也在加紧变通避免重颠覆辙

据相关报道，三星电子内部就[人员扩充]问题存在分歧，导致其机构部门作出决定，将部分员工从晶圆代工（半导体代工）部门调配至高带宽存储器（HBM）业务。

鉴于HBM业务的缩减，下一代HBM的开发亟需人力资源的注入，然而晶圆代工部门内部对于[人才流失]的担忧同样不容小觑，这一状况加剧了外界对三星半导体部门未来的忧虑。

三星电子的机构部门面临挑战，不仅因为被SK海力士超越，而且在HBM3E（第五代HBM）市场上长期居于第三的美光亦已超越其地位。

鉴于三星电子甚至尚未通过HBM3E的质量测试，其在HBM3E市场上的结构性优势已被削弱。

三星电子决心在HBM4上全力以赴，以避免重蹈HBM3E的覆辙。

据韩国媒体Hanhooki的一篇新文章透露，SK海力士新的1c DRAM良率已达到80%，并在2024年8月宣布，成功开发出全球首款基于1c工艺的16GB DDR5 DRAM。

根据电路线宽的不同，DRAM的开发顺序依次为1x、1y、1z、1a、1b、1c和1d，其中1c是最先进的技术。1c工艺大约相当于11纳米到12纳米。

考虑到该公司在2024年下半年的良率仅为60%，这在短时间内可视为一个巨大的进步。

凭借这一成就，可以肯定地说，SK海力士已经超越三星，暂时占据了DRAM领域的技术领先地位。

尽管三星电子自主研发1c DRAM模块已有相当一段时间，但据早前媒体报道，他们正在重新评估1c DRAM模块，以提高良率，该公司目前仍难以完全掌控局面。

结尾：

随着逻辑芯片制程技术的不断进步，内存制造商在自主研发和生产高级逻辑基底方面面临更大的挑战，这促使HBM生产向外部代工模式转变。

对于企业而言，把握HBM与先进封装技术所带来的机遇，增加研发投入，提升技术实力和市场竞争力，是在未来科技竞争中占据优势的关键。

部分资料参考：印科技：《SK海力士大重组！》，芯闻报告：《SK海力士逆袭登顶DRAM王座：AI时代的HBM突围战》，半导体行业观察：《DRAM，史上首次！》，微电子制造：《海力士HBM，重大调整！》，存储世界MWorld：《SK海力士又采购HBM3E设备订单》