瑞萨率先推出业界首款采用8mm × 8mm双面散热封装的650V GaN器件，面向兆瓦级AI数据中心

与TOLT封装相比，双面散热（DSC）设计可将封装占板面积缩小57%，助力空间受限的兆瓦级机架实现更高功率密度在8mm

Vishay厚膜功率电阻通过提高功率密度实现节省空间并简化设计

这些器件可提供650 W连续功率，支持可定制的布线方案，并支持集成可选配的NTC温度传感器日前，威世科技Vishay I

荷兰“冻结”的安世半导体，对汽车产业有多关键？

市场普遍将理由指向“国家安全审查”

华为在做的垂直GaN，到底是啥？