编译/VR陀螺

近日，Micro-LED厂商Ingantec公布最新红光MicroLED技术进展。公司开发的5μm级红光InGaN MicroLED峰值外量子效率（EQE）已超过20%，发光波长约为620至625nm。

据介绍，该器件基于传统c-plane InGaN外延结构开发，在约4至5 A/cm²电流密度下实现超过20%的峰值EQE。在更高电流密度条件下，器件仍能够保持较好的亮度输出及光谱稳定性。

红光一直是全InGaN RGB Micro-LED路线需要解决的关键环节之一。目前Micro-LED全彩显示通常需要结合不同材料体系，其中传统AlInGaP红光Micro-LED在像素尺寸持续缩小时容易出现效率下降问题。如果红、绿、蓝三色均能够基于InGaN材料体系实现，将有机会降低异质材料转移和集成的复杂度，为单片全彩Micro-LED微显示提供新的技术路线。

对于AR眼镜而言，随着Micro-LED像素尺寸进一步缩小至数微米级，红光效率、亮度和一致性直接影响全彩微显示的实际性能。Ingantec此次公布的5μm红光器件数据，也意味着InGaN红光Micro-LED在小尺寸像素下的效率表现正在继续提升。

来源：einpresswire