瑞萨电子推出的第三代MRDIMM将DDR5内存性能提升至16,000MT/s,赋能下一代AI与HPC应用
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布,推出其第三代(Gen3)DDR5多路复用双列直插内存模块(MRDIMM)芯片组解决
2026年07月30日- 2026年05月17日
- 2025年05月15日
- 1
瑞萨电子推出的第三代MRDIMM将DDR5内存性能提升至16,000MT/s,赋能下一代AI与HPC应用
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子宣布,推出其第三代(Gen3)DDR5多路复用双列直插内存模块(MRDIMM)芯片组解决
