清溢光电：控股子公司拟投资不超15亿元建设高端半导体掩膜版生产基地三期

清溢光电公告，控股子公司佛山清溢微电子有限公司拟在现有厂房基础上改造并引入新设备扩建生产线，建设高端半导体掩膜版生产基地建设项目三期，计划总投资不超过15亿元，主要产品为覆盖28nm-14nm制程的高端半导体掩膜版，建设地点为佛山市南海区丹灶镇丹凤路6号，建设期36个月，预计2026年12月开工，资金来源为佛山清溢微自有或自筹资金，不涉及募集资金。