由激光写入的磁存储材料切换数据提速千倍

据最新一期《应用物理快报》报道，日本量子科学技术研究开发机构研究团队开发出可由激光直接写入的新型磁性存储材料，其数据切换速度可达传统电流驱动磁存储器的约1000倍，有望用于未来AI芯片和高速信息系统，同时可降低数据中心能耗。