英特尔：18A工艺已大规模量产，晶体管密度提升30%

今日举办的2025英特尔技术创新与产业生态大会上，英特尔方面宣布，公司18A工艺已在亚利桑那州的Fab 52工厂进入大规模量产。该工艺采用全环绕栅极晶体管技术和背面供电技术，实现了能效与密度的双重进步。和上一代制程工艺相比，18A工艺在相同能耗下性能提升15%，晶体管密度提升30%。英特尔方面表示，该技术是英特尔下三代技术的基石，公司正基于该技术快速推进下面几代产品的研发。